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FDD8647L

  • 分类:IC
  • 简介:FDD8647L 40V 14A
  • 交货周期:6
  • 发布时间:2020-09-30 14:04:30
  • 点击量:

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RohsLead free / RoHS Compliant
标准包装2,500
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS)40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C14A
Rds(最大)@ ID,VGS9 mOhm @ 13A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS28nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的1640pF @ 20V
功率 - 最大3.1W
安装类型Surface Mount
包/盒TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装D-Pak
包装材料Tape & Reel (TR)
包装3DPAK
通道模式Enhancement
最大漏源电压40 V
最大连续漏极电流14 A
RDS -于9@10V mOhm
最大门源电压±20 V
典型导通延迟时间8 ns
典型上升时间3 ns
典型关闭延迟时间19 ns
典型下降时间2 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Surface Mount
标准包装Tape & Reel
最大门源电压±20
欧盟RoHS指令Compliant
最高工作温度150
标准包装名称DPAK
最低工作温度-55
渠道类型N
封装Tape and Reel
最大漏源电阻9@10V
最大漏源电压40
每个芯片的元件数1
供应商封装形式DPAK
最大功率耗散3100
最大连续漏极电流14
引脚数3
铅形状Gull-wing
FET特点Logic Level Gate
安装类型Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C14A (Ta), 42A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id3V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss)40V
供应商设备封装D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS9 mOhm @ 13A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大3.1W
输入电容(Ciss ) @ VDS1640pF @ 20V
其他名称FDD8647LTR
闸电荷(Qg ) @ VGS28nC @ 10V
封装/外壳TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令Lead free / RoHS Compliant
类别Power MOSFET
外形尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm
身高2.39mm
长度6.73mm
最大漏源电阻13.6 mΩ
最高工作温度+150 °C
最大功率耗散43 W
最低工作温度-55 °C
包装类型TO-252
典型栅极电荷@ VGS20 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS1230 pF V @ 20
宽度6.22mm
漏极电流(最大值)14 A
频率(最大)Not Required MHz
栅源电压(最大值)�20 V
输出功率(最大)Not Required W
功率耗散3.1 W
噪声系数Not Required dB
漏源导通电阻0.009 ohm
工作温度范围-55C to 150C
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏极效率Not Required %
漏源导通电压40 V
功率增益Not Required dB
弧度硬化No
连续漏极电流14 A
高度2.39mm
晶体管材料Si
类别功率 MOSFET
长度6.73mm
典型输入电容值@Vds1230 pF@ 20 V
通道模式增强
安装类型表面贴装
每片芯片元件数目1
最大漏源电阻值13.6 mΩ
Board Level ComponentsY
最高工作温度+150 °C
通道类型N
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散43 W
最大栅源电压±20 V
宽度6.22mm
尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm
最小栅阈值电压1V
最大漏源电压40 V
典型接通延迟时间8 ns
典型关断延迟时间19 ns
封装类型TO-252
最大连续漏极电流52 A
引脚数目3
晶体管配置
典型栅极电荷@Vgs20 nC @ 10 V
工厂包装数量2500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage40 V
晶体管极性N-Channel
封装/外壳TO-252-3
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
下降时间2 ns
安装风格SMD/SMT
品牌Fairchild Semiconductor
通道数1 Channel
商品名PowerTrench
配置Single
晶体管类型1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current14 A
Rds On - Drain-Source Resistance9 mOhms
RoHSRoHS Compliant
系列FDD8647L
Pd - Power Dissipation3.1 W
上升时间3 ns
技术Si


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